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NTHS5404T1
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1800
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
Q G
11
10
9
1500
8
1200
C rss
3
7
6
900
2
Q GD
Q GS
5
4
600
300
0
C oss
1
0
I D = 5.2 A
T J = 25 ° C
Q GD /Q GS = 1.33
3
2
1
0
12
8
4
V GS
0
V DS
4
8
12
16
20
0
1
2
3 4 5 6 7 8 9 10 11
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
12
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
t d(off)
5
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
10
t f
t d(on)
t r
V DD = 10 V
I D = +1.0 A
V GS = 4.5 V
4
3
2
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
0.1
0.1
0.05
0.02
P DM
t 1
t 2
PER UNIT BASE = R q JA = 80 ° C/W
T JM ? T A = P DM Z q JA (t)
SURFACE MOUNTED
0.01
0.0001
Single Pulse
0.001
0.01
0.1
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
1 10
100
1000
SQUARE WAVE PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction ? to ? Ambient
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4
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